| 描述 | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.018 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263AB |
| 下降时间 | 98 ns | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 75 W | 上升时间 | 103 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDB6030L,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDB6030PL,MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】NDB6060,MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】NDB6060L,MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】NDB6060L_Q,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode