| 描述 | MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 510mA，340mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2 欧姆 @ 510mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 20pF @ 25V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDC7001CTR |
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N,MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_Q,MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_SB9G007,MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】NDC7003P,MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6
