描述 | MOSFET N-CH 600V DPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 50?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 312pF @ 25V |
功率 - 最大 | 61W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDD03N60ZT4G-NDNDD03N60ZT4GOSTR |
来我们将继续扩充高压功率mosfet产品阵容,为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。” 新推出的600 v mosfet器件包括: -ndd02n60z-1g,采用ipak封装,每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd02n60zt4g,采用dpak封装,每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd03n60z-1g,采用ipak封装,每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd03n60zt4g,采用dpak封装,每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd04n60z-1g,采用ipak封装,每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndd04n60zt4g,采用dpak封装,每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf04n60zg,采用to-220fp封装,每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf06n60zg,采用to-220fp封装,每10,000片批量的单价为0.36美元 -ndf10n60zg,采用to-220fp封装,每10,000片批 ...