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NDH8304P_Q

描述MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.061 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-8
封装Reel下降时间25 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散0.8 W
上升时间25 ns典型关闭延迟时间78 ns

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