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NDP6020P_Q

描述MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.041 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220AB
封装Tube下降时间70 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散60 W
上升时间27 ns典型关闭延迟时间120 ns

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