| 描述 | MOSFET N-Channel FET LL Enhancement | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.037 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 108 ns |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 75 W |
| 上升时间 | 130 ns | 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDP6030PL,MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
【Fairchild Semiconductor】NDP6030PL_Q,MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDP603AL,MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】NDP6060,MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】NDP6060_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDP6060L,MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB