您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > nds351n
  • NDS351N

NDS351N

描述MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 1.4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 10V
功率 - 最大460mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装3-SSOT
包装带卷 (TR)其它名称NDS351NTR

nds351n的相关型号: