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  • NDS352P

NDS352P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 20V 850MA SSOT3FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C850mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds125pF @ 10V
功率 - 最大460mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装3-SSOT
包装带卷 (TR)其它名称NDS352PTR

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