| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 245pF @ 10V | 功率 - 最大 | 460mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDS355NTR |
时，ic内部的控制保护电路工作，10脚无电压输出，充电结束。 若某种原因导致输人电压偏高，则vf导通，使r5两端电压超过2·465v的参考门限电压，ic内部的保护电路动作，10脚无电压输出。 元器件选择 rl-r5均选用1/4w金属膜电阻器。 cl-c3均选用独石电容器;c4和c5选用耐压值为16v的铝电解电容器;c6选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vdl和vd2均选用ln5819型肖特基二极管;vd3选用1n4148型硅开关二极管。 ur选用2a、5ov的整流桥堆。 vf选用nds355n型场效应晶体管。 ic选用scl4l0a型充电专用集成电路。 l选用tdk色码电感器。 t选用5w、二次电压为l2v的电源变压器。 来源:university ...
