| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 23 毫欧 @ 7.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 67nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | Q4210279C |
【Fairchild Semiconductor】NDS8435A_Q,MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS8852H,MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8858H,MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8934,MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8936,MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
