| 描述 | MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 5.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 30nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
【Fairchild Semiconductor】NDS8934,MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8936,MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8947_Q,MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS8958_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS8961,MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8-SOIC
