| 描述 | MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.065 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 19 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 20 ns | 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDS8958_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS8961,MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS8961_F011,MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS9400A,MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9400A_D87Z,MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDS9405,MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC