描述 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1425pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDS9405TR |
【Fairchild Semiconductor】NDS9405_D84Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDS9407_D84Z,MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
【Fairchild Semiconductor】NDS9407_Q,MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench
【Fairchild Semiconductor】NDS9410A,MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9410A_D84Z,MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode