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NDS8961_F011

描述MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间3 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2 W
上升时间15 ns典型关闭延迟时间14 ns

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