| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 345pF @ 25V | 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDS9945TR |
【Fairchild Semiconductor】NDS9945_L86Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDS9947,MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
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【Fairchild Semiconductor】NDS9948_Q,MOSFET Dual PCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A,MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A_Q,MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDS9953A,MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC