您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > nds9952a_q
  • NDS9952A_Q

NDS9952A_Q

描述MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE漏极连续电流3.7 A, - 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.06 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOIC-8 Narrow封装Reel
下降时间5 ns, 8 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间13 ns, 21 ns
典型关闭延迟时间21 ns, 21 ns

nds9952a_q的相关型号: