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  • NDS9956A_Q

NDS9956A_Q

描述MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.08 Ohms
配置Dual Dual Drain最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
封装Reel下降时间5 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)6 S最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W上升时间13 ns
典型关闭延迟时间21 ns

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