| 描述 | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | 4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.1 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-223 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 30 ns | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 3 W | 上升时间 | 18 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 37 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_J23Z,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT451N_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02