| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 720pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDT451ANTR |
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_J23Z,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT451N_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDT452AP,MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT452AP_J23Z,MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT452P,MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT452P_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
