| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 525pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | NDT452PDKR |
【Fairchild Semiconductor】NDT452P_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDT453N,MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT453N_J23Z,MOSFET 30V N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT454P,MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT455N,MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT456P,MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT456P_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
