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NDT455N

描述MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 11.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1220pF @ 15V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223-3
包装带卷 (TR)其它名称NDT455NTR

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