| 描述 | MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | - 5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.065 Ohms | 配置 | Single Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-223 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 19 ns | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 3 W | 上升时间 | 20 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDT452P,MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT452P_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDT453N,MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT453N_J23Z,MOSFET 30V N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT454P,MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT455N,MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT456P,MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT456P_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE