描述 | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4 | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 65 毫欧 @ 5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.8V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 690pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | NDT452APTR |
【Fairchild Semiconductor】NDT452AP_J23Z,MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT452P,MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT452P_J23Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDT453N,MOSFET N-CH 30V 8A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT453N_J23Z,MOSFET 30V N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT454P,MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT455N,MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT456P,MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4