| 描述 | 射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET | 噪声系数 | 0.35 dB |
|---|---|---|---|
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 55 mS | 漏源电压 VDS | 4 V |
| 闸/源击穿电压 | - 3 V | 漏极连续电流 | 70 mA |
| 最大工作温度 | + 125 C | 功率耗散 | 165 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SO-1 |
| 闸/源截止电压 | 2 V | 封装 | Cut Tape |
为相对稳定。对条件稳定的放大器，其负载阻抗和源阻抗不能任意选择，而是有一定的范围，否则放大器不能稳定工作。 根据以上的论述，该设计的重点是保证在较宽带宽内噪声系数低和增益平坦。为保证上述设计指标的实现，采用了两级级联的设计方案：第一级根据噪声最小设计输入匹配电路获取优良噪声系数；第二级根据功率最大准则设计输出匹配电路以获取最大的放大增益。设计lna一般选择砷化镓场效应晶体管(gaasfet)，其优点是频率高，噪声低，开关速度快以及低温性能好。本文即是选用nec公司的砷化镓异质结场效应晶体管ne3210s01。 2 设计方案 2．1 稳定性分析 放大器稳定性的判定条件如下： 式中：△=s11s12-s12s21；k为稳定因子。当同时满足上面3个条件时，放大器绝对稳定。 根据ne3210s01的s参数模型，通过软件仿真计算，该放大器在全频带内并非绝对稳定。在漏极串联电阻能够有效地改善稳定性并且不会增加设计的复杂度。设计中在第一级放大器漏极串联1个10ω的电阻，使放大器在全频带内保持绝对稳定，而对增益的影响却很小。高频段放大管都存在内部反馈，当反馈量达到一定强度时，将会 ...
