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NE3210S01-T1B-A

  • 制造商:-
  • 汲极/源极击穿电压:4 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:10 mA
  • 安装风格:SMD/SMT
产品属性
描述MOSFET Super Lo Noise HJFET封装 / 箱体SO-1
封装Reel功率耗散165 mW
工厂包装数量4000

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