您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ne334s01-a

NE334S01-A

制造商：-
汲极/源极击穿电压：4 V
闸/源击穿电压：- 3 V
漏极连续电流：15 mA
安装风格：SMD/SMT

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET Low Noise HJ FET	封装 / 箱体	SO-1
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	0.085 S	功率耗散	300 mW

ne334s01-a的相关型号：