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  • NE350184C-A

NE350184C-A

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:20 GHz
  • 增益:13.5 dB
产品属性
描述射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET噪声系数0.7 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值)40 mS漏源电压 VDS4 V
闸/源击穿电压- 3 V漏极连续电流70 mA
最大工作温度+ 150 C功率耗散165 mW
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体Micro-X Ceramic (84 C)
封装Tube

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