您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ne429m01-t1

NE429M01-T1

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:2 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:10 mA
产品属性
描述MOSFET Super Lo Noise HJFET安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体Mini-6封装Reel
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.06 S功率耗散125 mW
工厂包装数量3000

ne429m01-t1的相关型号: