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  • NE651R479A

NE651R479A

  • 制造商:-
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:1.9 GHz
  • 增益:12 dB
  • 漏源电压 VDS:8 V
产品属性
描述射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET闸/源击穿电压- 4 V
漏极连续电流1 A最大工作温度+ 125 C
功率耗散2.5 W安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体79AP1dB27 dBm

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