描述 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 52V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 2.6A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 35V |
功率 - 最大 | 1.69W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NIF9N05CLT1OSTR |
产品型号:nif9n05clt1源漏极间雪崩电压vbr(v):52源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):2.600通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot223/-55~175描述:保护功率mosfet 2.6a,52v n沟道逻辑电平价格/1片(套):¥5.70 来源:xiangxueqin ...