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  • NIF9N05CLT1

NIF9N05CLT1

描述MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)52V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 35V
功率 - 最大1.69W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)其它名称NIF9N05CLT1OSTR

“NIF9N05CLT1”技术资料

  • NIF9N05CLT1的技术参数

    产品型号:nif9n05clt1源漏极间雪崩电压vbr(v):52源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):100最大漏极电流id(on)(a):2.600通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot223/-55~175描述:保护功率mosfet 2.6a,52v n沟道逻辑电平价格/1片(套):¥5.70 来源:xiangxueqin ...

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