您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > nif9n05clt1g
  • NIF9N05CLT1G

NIF9N05CLT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.525
  • 2000$0.49
  • 5000$0.4655
  • 10000$0.448
  • 25000$0.434
描述MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)59V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 2.6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 100?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 35V
功率 - 最大1.69W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)其它名称NIF9N05CLT1GOSNIF9N05CLT1GOS-NDNIF9N05CLT1GOSTR

nif9n05clt1g的相关型号: