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NIS6111QPT1

描述DIODE ORING FET 24V 30A 32-LLPFET 型N 沟道
输出数1内部开关
延迟时间 - 开启45ns延迟时间 - 关闭35ns
电源电压4.8 V ~ 5.2 V电流 - 电源1.3mA
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装
封装/外壳32-QFN 裸露焊盘供应商设备封装32-PLLP(9x9)
包装带卷 (TR)其它名称NIS6111QPT1OSTR

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