| 描述 | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB | 技术 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1 V @ 8 A | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 μA @ 1000 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 55pF @ 4V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 供应商器件封装 | TO-263AB（D2PAK） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
【ON Semiconductor】NSB9435T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 3A 30V Lov VCEsat
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T1,TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP