| 描述 | TRANS BRT PNP 30V BIP SOT223-4 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 3A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 125 @ 800mA，1V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 550mV @ 300mA，3A | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 频率 - 转换 | 110MHz | 功率 - 最大 | 720mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T1,TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA113EDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA114EDP6T5G,TRANS BRT PNP DUAL DGTL SOT-963
【ON Semiconductor】NSBA114EDXV6T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP