| 描述 | TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSBA114YDXV6T1GOSNSBA114YDXV6T1GOS-NDNSBA114YDXV6T1GOSTR |
产品型号:nsba114ydxv6t1g类型:pnp集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):80r1(ω):10kr2(ω):10k芯片上标识:0d封装/温度(℃):sot-563/-55~150价格/1片(套):￥.84 来源:零八我的爱 ...
【ON Semiconductor】NSBA114YDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA114YDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA115EDXV6T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA115EDXV6T1G,TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563
【ON Semiconductor】NSBA115EDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA115EDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual PNP
【ON Semiconductor】NSBA115TDP6T5G,TRANS DUAL PBRT PNP SOT-963