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  • NSDEMN11XV6T1

NSDEMN11XV6T1

描述DIODE SWITCH QUAD CC 80V SOT563电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA(DC)电压 - (Vr)(最大)80V
反向恢复时间(trr)4ns二极管类型标准
速度小信号 =二极管配置2 对共阴极
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563包装剪切带 (CT)
工具箱SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN其它名称NSDEMN11XV6T1OSCT

“NSDEMN11XV6T1”技术资料

  • NSDEMN11XV6T1的技术参数

    产品型号:nsdemn11xv6t1最小反向电压vr(v):80最大反向漏电流ir(?a):0.100正向恢复电压vf最小值(v):-正向恢复电压vf最大值(v):100ma最大二极管电容ct(pf ):3.500反向恢复时间trr(ns):4类型:共阴极,四阵列开关二极管封装/温度(℃):sot-563/ -55~125价格/1片(套):¥.80 来源:零八我的爱 ...

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