| 描述 | TRANSISTOR PNP 2A 12V SC-88 | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 290mV @ 20mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 800mA，1.5 V | 功率 - 最大 | 450mW |
| 频率 - 转换 | 100MHz | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SC-88 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NSS12200WT1G-ND |
产品型号:nss12200wt1g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):12集电极最大电流ic(max)(ma):-2000直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):300最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-363/-55 to +150价格/1片(套):￥1.30 来源:零八我的爱 ...
快开发新一代低vce(sat) bjt 器件，它们可将等效rds(on) 再降低50％，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电（esd）能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单（bom）。如在提供低于1.0伏（v）的低导通电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chi ...
一代低vce(sat) bjt 器件，它们可将等效rds(on) 再降低50%，为更多的用户和其应用提供这种成本节约型技术。” 安森美半导体新型vce(sat) bjt的抗静电放电(esd)能力很强，有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率，并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量，这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后，就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力，所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30 ...
