| 描述 | TRANSISTOR NPN 2A 20V TSOP-6 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 150mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 1A，5V |
| 功率 - 最大 | 460mW | 频率 - 转换 | 200MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSS20201MR6T1G-NDNSS20201MR6T1GOSTR |
7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop ...
v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) 封装与价格 低vce(sat) bjt 系列采用多种业内领先的封装，包括sot-23、sc-88、sc-74、ts ...
【ON Semiconductor】NSS20300MR6T1G,TRANSISTOR PNP 3A 20V TSOP-6
【ON Semiconductor】NSS20500UW3T2G,TRANSISTOR PNP 5A 20V 3-WDFN
【ON Semiconductor】NSS20600CF8T1G,TRANSISTOR PNP 6A 20V 8-CHIPFET
【ON Semiconductor】NSS20601CF8T1G,TRANS NPN 20V 8A 1206A CHIPFET
【ON Semiconductor】NSS30070MR6T1G,TRANSISTOR PNP 700MA 30V SC74-6