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NSS20600CF8T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述TRANSISTOR PNP 6A 20V 8-CHIPFET电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)20VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)200mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 1A,2V
功率 - 最大830mW频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装ChipFET?包装带卷 (TR)

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