| 描述 | TRANSISTOR NPN 1A 30V SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 200mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 300 @ 500mA，5V |
| 功率 - 最大 | 310mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSS30101LT1G-NDNSS30101LT1GOSTR |
5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) 封装与价格 低vce(sat) bjt 系列采用多种业内领先的封装，包括sot-23、sc-88、sc-74、tsop- ...
v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) 封装与价格 低vce(sat) bjt 系列采用多种业内领先的封装，包括sot-23、sc-88、sc-74、tsop-6 和 chipfet，每10,000件的批量单价为0.07美元至0.16美元。 来源:小 ...
产品型号:nss30101lt1g类型:npn集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):30集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):300直流电流增益hfe最大值(db):900最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-23/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱 ...
