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  • NSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 6000$0.13377
描述TRANSISTOR NPN 2A 30V TSOP-6电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)30VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)75mV @ 1mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 500mA,5V
功率 - 最大535mW频率 - 转换300MHz
安装类型表面贴装封装/外壳SC-74,SOT-457
供应商设备封装6-TSOP包装带卷 (TR)
其它名称NSS30201MR6T1G-NDNSS30201MR6T1GOSTR

“NSS30201MR6T1G”技术资料

  • 安森美 VCE(sat) 双极结晶体管

    5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) 封装与价格 低vce(sat) bjt 系列采用多种业内领先的封装,包括sot-23、sc-88、sc-74、tsop-6 和 chipfet,每10,000件的批量单价为0.07美元至0.16美元。 来源:零八我的爱 ...

  • 安森美推出全新系列高性能VCE(sat)BJT

    0 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) nss30201mr6t1g 30 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) 封装与价格 低vce(sat) bjt 系列采用多种业内领先的封装,包括sot-23、sc-88、sc-74、tsop-6 和 chipfet,每10,000件的批量单价为0.07美元至0.16美元。 来源:小草 ...

  • NSS30201MR6T1G的技术参数

    产品型号:nss30201mr6t1g类型:npn集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):30集电极最大电流ic(max)(ma):2000直流电流增益hfe最小值(db):200直流电流增益hfe最大值(db):900最小电流增益带宽乘积ft(mhz):200封装/温度(℃):tsop-6/-55 to +150价格/1片(套):¥1.60 来源:零八我的爱 ...

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