描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET | 晶体管类型 | PNP |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 2A | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 35V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 300mV @ 20mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大) | 100nA |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 1.5A,2V | 功率 - 最大 | 635mW |
频率 - 转换 | 100MHz | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NSS35200CF8T1G-ND |
电源效率,并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm ( ...
强,有助防止敏感元件受到损坏。优异的电气性能和低温系数可提高电源效率,并最终节约电池电能。通过减少特定应用中的器件数量,这些新型晶体管可进一步缩减材料单(bom)。如在提供低于1.0伏(v)的低导通电压后,就无需典型的电荷泵 。由于它们具有双向阻塞能力,所以也无需阻塞二极管。 pnp 器件 nss12200wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器 ...
产品型号:nss35200cf8t1g类型:pnp集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):35集电极最大电流ic(max)(ma):7000直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):400最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):chipfet/-55 to +150价格/1片(套):¥2.40 来源:零八我的爱 ...