| 描述 | TRANSISTOR PNP 1A 30V SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 650mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 310mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSS30100LT1G-NDNSS30100LT1GOSTR |
30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 millioh ...
0wt1g 12 v, 3.0 a, 163 milliohm (sc-88) nss30070mr6t1g 30 v, 0.7 a, 320 milliohm (sc-74) nss35200cf8t1g 35 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss40400cf8t1g 40 v, 7.0 a, 78 milliohm (chip-fet) nss20300mr6t1g 20 v, 5.0 a, 78 milliohm (tsop-6) nss30100lt1g 30 v, 2.0 a, 200 milliohm (sot-23) nss35200mr6t1g 35 v, 5.0 a, 100 milliohm (tsop-6) npn 器件 nss20201mr6t1g 20 v, 3.0 a, 100 milliohm (tsop-6) nss30101lt1g 30 v, 2.0 a, 100 milliohm (sot-23) nss30071mr6t1g 30 v, 0.7 a, 200 milliohm (sc-74) ...
产品型号:nss30100lt1g类型:pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):30集电极最大电流ic(max)(ma):2a直流电流增益hfe最小值(db):100直流电流增益hfe最大值(db):300最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-23/ -55 to+150价格/1片(套):￥1.30 来源:零八我的爱 ...
