| 描述 | TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商设备封装 | SOT-963 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NST3906DXV6T1,TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563
【ON Semiconductor】NST3906DXV6T1G,TRANS PNP DUAL 200MA 40V SOT563
【ON Semiconductor】NST3906DXV6T5,Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V Dual
【ON Semiconductor】NST3946DP6T5G,TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963
【ON Semiconductor】NST3946DXV6T1,TRANS NPN/PNP 200MA 40V SOT-563
【ON Semiconductor】NST3946DXV6T1G,TRANS NPN/PNP 200MA 40V SOT-563