| 描述 | TRANSISTOR DUAL COMPL GP SOT-963 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 600mV @ 5mA，100mA / 700mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2mA，5V / 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-963 |
| 供应商设备封装 | SOT-963 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NST848BF3T5G,TRANSISTOR GP NPN 30V SOT-1123
【ON Semiconductor】NST856BF3T5G,TRANSISTOR GP PNP 65V SOT-1123
【ON Semiconductor】NST857BDP6T5G,TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963
【ON Semiconductor】NSTB1002DXV5T1,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
【ON Semiconductor】NSTB1002DXV5T1G,TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553