| 描述 | MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 760mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 360 毫欧 @ 350mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 450mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 156pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 301mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 供应商设备封装 | SC-75，SOT-416 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。rds(on)比目前同类封装的mosfet降低60％，可导通更大电流。 安森美半导体的沟道mosfet有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因mosfet极易受到静电放电（esd）的损害，且封装越小，受esd损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道mosfet门，提供优异的esd保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。 - nta4151pt1，nte4151pt1，ntzs3151pt1和ntzd3152pt1：用于达850 ma高端负载开关的p沟道mosfet。提供单模式和双模式。- nta4153nt1，nte4153nt1 和ntzd3154nt1：用于高达915 ma低端负载开关的n沟道mosfet。提供单模式和双模式。- ntzd3155ct1：互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。 每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的sot-563和三引脚 ...
。 这些新型的低压mosfet采用安森美公司的trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc-89为 ...
的低压mosfet采用安森美公司的trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(rds(on))，其rds(on)范围介于150至900mω之间，因此可以导通更大电流。 安森美的这几款trench mosfet提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入trench mosfet的门，以此提供良好的esd保护。 这八款低压trench mosfet器件中的nta4151pt1、nte4151pt1、ntzs3151pt1和ntzd3152pt1是用于850ma高端负载开关的p沟道mosfet，提供单模式和双模式；nta4153nt1、nte4153nt1和ntzd3154nt1是用于高达915ma低端负载开关的n沟道mosfet，提供单模式和双模式；ntzd3155ct1是互补n沟道和p沟道的组合，用于集成负载开关或小电流dc-dc转换。 上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的sot-563和3引脚高度0.8mm的sc ...
