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  • NTB125N02RT4G

NTB125N02RT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
功率 - 最大1.98W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB125N02RT4GOS

“NTB125N02RT4G”技术资料

  • NTB125N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntb125n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24(min)源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600最大漏极电流id(on)(a):125通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak 3/-55 ~150描述:125 a, 24 v 功率mosfet价格/1片(套):¥7.60 来源:xiangxueqin ...

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