| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 8.5A，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 88W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTB5605PT4G-NDNTB5605PT4GOSTR |
产品型号:ntb5605pt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140最大漏极电流id(on)(a):18.500通道极性:p封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175描述:-60v,-18.5ap沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
