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  • NTB75N06LT4G

NTB75N06LT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 75A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs92nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds4370pF @ 25V
功率 - 最大2.4W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)

“NTB75N06LT4G”技术资料

  • NTB75N06LT4G的技术参数

    产品型号:ntb75n06lt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):11最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n封装/温度(℃):d2pak-3/-55~150描述:60v,75a,n沟道mosfet价格/1片(套):¥15.00 来源:xiangxueqin ...

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