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  • NTB85N03

NTB85N03

描述MOSFET N-CH 28V 85A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)28V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 40A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 24V
功率 - 最大80W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件

“NTB85N03”技术资料

  • NTB85N03的技术参数

    产品型号:ntb85n03源漏极间雪崩电压vbr(v):28源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):6.100最大漏极电流id(on)(a):85通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~150描述:85a,28v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥9.20 来源:xiangxueqin ...

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